【每日谈】AI数据中心千亿新空间+行业供需周期反转，碳化硅从价格战到量价齐升

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国盛证券指出，碳化硅行业经历2025年市场出清后，供需格局已实现实质性改善，6英寸衬底价格从2000元/片附近大幅反弹，海外龙头英飞凌、意法半导体年内已启动第二轮调价。AI数据中心正成为行业重要增长极，800V高压直流供电架构共识驱动碳化硅器件需求爆发。核心公司：天岳先进、士兰微、新洁能。

1）6英寸衬底价格触底大幅反弹，海外龙头年内第二轮调价，行业价格周期明确反转

从价格周期来看，2025年6英寸碳化硅衬底均价从年初4000-4500元/片一路回落至2000元/片附近，但2026年4月以来已出现较大幅度反弹，8英寸产品同步止跌企稳并小幅上涨。

中游器件环节，英飞凌、意法半导体这两家海外功率半导体龙头均已发布年内第二轮调价通知，国内厂商同步跟进调价，行业价格周期明确反转。

供给端，中小产能持续出清，有效供给向头部集中，当前头部衬底厂商产能利用率已超90%，部分高端规格产品供给偏紧。

需求端，传统赛道需求稳步增长，叠加新兴场景放量与终端备库存需求，行业订单能见度显著提升，部分产品交付周期大幅拉长，行业进入价涨量增的景气上行阶段。

2）AI数据中心打开千亿新空间，800V高压直流供电成行业共识

新能源仍是行业压舱石，碳化硅功率器件逐步从高端车型向中低端市场渗透，光伏储能、充电桩、轨交等领域需求同步扩容。

但真正的增量来自AI数据中心，随着大模型算力需求升级，AI芯片功耗持续攀升，机柜功率密度从百千瓦级向兆瓦级演进，传统供电架构的损耗与散热瓶颈日益凸显，碳化硅优异性能迎来用武之地。

3）8英寸成主战场，国内龙头全球市占率跃居第一

当前6英寸导电型衬底仍是出货主流，但赛道竞争已进入红海；8英寸经济性逐步被验证，成为当前竞争主战场；12英寸代表下一代技术方向，是全球产业话语权的重要争夺点。

国内厂商在本轮升级中实现跨越式突破。头部企业已完成8英寸碳化硅衬底规模化量产，形成从材料到器件的完整8英寸技术生态，同时率先推进12英寸全系列产品技术攻关。

目前天岳先进2025年导电型碳化硅衬底全球市占率达27.6%，位列全球第一。

4）核心公司

天岳先进：2025年导电型碳化硅衬底全球市占率达27.6%，位列全球第一；已实现8英寸SiC衬底量产并推出12英寸产品，与全球前十大功率半导体器件制造商中半数以上建立合作。

士兰微：国内综合型半导体IDM核心厂商，6英寸SiC功率器件芯片产线已形成月产1万片MOSFET产能并持续上量；8英寸产线2025年四季度通线、月产能5000片，预计2026年下半年投产；第IV代SiC芯片与模块已完成客户评测并批量交付。

新洁能：自主研发的SiC MOSFET可靠性与能效对标欧美竞品，第2代、2.5代SiC MOSFET平台已全面量产、覆盖650V-1700V全电压段，第三代平台完成工艺开发、处于可靠性验证阶段。

研报来源：国盛证券，花小伟，S0680526020001，中小盘行业周报：新质策略系列之碳化硅，AI赋能打开成长空间，供需共振开启量价齐升。2026年06月26日

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