热点 · 2026-05-20 12:58:14
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东方证券研报指出，国产存储龙头长鑫科技业绩“炸裂”：26Q1营收508亿元（同比+719%），净利330亿元，彻底告别亏损泥潭。核心驱动力是AI算力带动的存储“超级周期”，DRAM价格持续大涨。随着原厂产能向高端倾斜，利基存储（如2D NAND）供给极度紧张，价格暴涨超300%，国内存储芯片、模组及配套芯片厂商迎来业绩爆发期。
事件：长鑫科技IPO更新财报，26Q1实现营收508亿元，实现净利润330亿元，扣非归母净利润263亿元。据测算，26Q1长鑫科技营收环比增速达71%。公司指引26H1实现营收1100-1200亿元，实现净利润660-750亿元，实现扣非归母净利润520-580亿元。
部分投资者担忧消费电子需求可能承压，影响存储需求及未来价格涨幅。但东方证券认为AI存储需求强劲，存储价格有望继续保持强劲表现。
供给方面，存储原厂优先分配位元产出至服务器相关存储产品，有望推动消费电子存储领域同样保持供给紧张态势。根据TrendForce，2026年第二季Mobile DRAM合约价持续大幅上扬，第二季LPDDR4X平均销售单价（ASP）将至少季增70%75%，LPDDR5X则季增78%83%。
价格强劲上涨有望继续带动存储厂商的业绩高成长。铠侠预计FY26Q1（4-6月）营收及利润都将实现显著环比增长，其中预计营业收入将达17500亿日元，环比增长74.5%；Non-GAAP营业利润将达13000亿日元，营业利润率将超74%，Non-GAAP净利润预计8700亿日元，净利润率接近50%。
此前市场更多关注直接受益存储价格上涨的存储芯片厂商，忽略了存储相关配套芯片厂商的成长性。东方证券认为，存储相关配套芯片有望充分受益存储整体量的成长及迭代升级。相关领域的国内企业持续布局新产品，推动自身成长。
在内存模组相关领域，CPU在AI服务器用量增加将推动内存模组需求增长，内存接口芯片、SPD等芯片有望深度受益于内存模组数量提高；MRCD/MDB等芯片还有望深度受益于MRDIMM等高性能内存模组标准的渗透率提升；此外VPD也有望受益于CXL内存模组的起量。
在固态硬盘领域，VPD有望受益于新一代EDSFF eSSD模组的推出；SSD主控芯片有望受益于企业级固态硬盘的量提升以及迭代升级。目前部分国内企业已经在存储相关配套芯片领域获得较强的市场竞争力，有望深度受益。
海外原厂持续退出MLC/SLC NAND等利基存储产能。三星电子已从26年3月起逐步停止其位于韩国华城12号产线的2D NAND生产；铠侠也在26年3月正式通知客户逐步退出2D NAND市场。
在海外原厂退出产能下，据全球半导体观察公众号，近期64Gb MLC NAND现货价较2025年底水平暴涨超300%，近期交易价达到20至28美元区间。展望未来，利基存储产能有望持续受到主流存储的挤压。
国内存储芯片设计厂商兆易创新、普冉股份、聚辰股份、东芯股份、北京君正等；
受益存储技术迭代的澜起科技、联芸科技、翱捷科技等；
国产存储模组厂商江波龙、德明利、佰维存储、大普微-UW等；
半导体设备企业中微公司、精智达、京仪装备、微导纳米、拓荆科技、北方华创等；
国内封测企业深科技、汇成股份、通富微电等；
配套逻辑芯片厂商晶合集成等。
研报来源：东方证券，蒯剑，S0860514050005，继续把握存储产业链高确定性成长机遇。2026年5月19日