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SiC大反转!成为AI电源新主线,衬底需求8倍增长,这些龙头迎来戴维斯双击

热点 · 2026-05-21 20:16:19

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天岳先进 晶升股份

【本文来自持牌证券机构,不代表平台观点,请独立判断和决策】

华西证券指出,SiC行业迎来拐点,AI正成为驱动行业重新定价的新主线。英伟达800V架构强制要求固态变压器落地,叠加先进封装和AR眼镜两大新应用,市场原有以车规定价(85亿元)的框架正被彻底打破,未来SiC衬底需求有望超过2000亿元。今年3月以来全球SiC核心标的大涨100%至3倍以上,市场正在重新定价。

1)AI电源景气反转,全球核心标的大涨

多家SiC器件公司Q1财报数据印证了AI需求的明确拉动。X-FAB 2026年Q1 SiC晶圆出货量达1.43万片,同比增长195%,环比增长28%;安森美AI数据中心SiC收入环比增长超30%,全年AI数据中心业务预计同比翻倍;Wolfspeed AI数据中心应用业务环比增长约30%;天岳先进Q1净利润环比改善71%,毛利率上升25pct。

国内设备端,晶升股份自2025年底新增订单逐步恢复,批量订单陆续交付。富士康、博世、三星等全球头部企业也正加大对SiC的重视,天岳先进同时斩获富士康永续卓越供应链金奖和博世集团优选供应商认定。

市场将上述信号解读为行业反转的起点,3月30日至5月15日,Wolfspeed股价上涨320%,晶升股份涨156%,天岳先进涨100%。

2)英伟达800V架构强制SST,SiC成为AI电源最直接受益方向

AI服务器功耗持续跃升,以NVIDIA Blackwell、GB200为代表的新一代AI芯片,推动单机柜功率从传统200kW快速向1MW+迈进。英伟达在官方技术白皮书中明确,自2026年起,所有适配GB300系列算力集群的AI智算中心,必须采用固态变压器(SST)实现10kV交流至800V直流的直接变换,否则将无法获得官方适配与技术支持。

SiC作为SST的核心功率器件,技术优势突出:量产级SiC基SST转换效率最高可达98.8%(传统工频变压器仅92%-94%),体积重量缩减至传统的1/4-1/6,链路成本降低40%,省去3级以上转换环节。台达电子的SST单功率柜输出功率达1MW,已落地秦淮数据中心项目。

目前国内已有超过12家变频器终端厂商加速布局SiC,如汇川技术率先推出搭载碳化硅技术的高速变频器。从量级看,2025年衬底市场规模约为85亿元,主要由车规市场驱动,而全球新能源车2025年累计至Q3的SiC渗透率不足5%。随着AI电源和车规渗透率双升,到2030年整体电源的SiC衬底需求有望接近700亿元,较当前实现近8倍增长。

3)8吋衬底:现有供给不足40万片,新增需求已宣布243万片,缺口超七倍

2025年全年,行业整体8吋SiC衬底产量预计少于40万片。具体来看,天岳先进2025年总产量69.04万片,其中8吋营收占比约44%,8吋产量少于20万片;按其51.3%的行业市占率推算,全行业8吋衬底产量也在40万片以下。

而仅从2025年9月至2026年1月,不到半年时间内,全球宣布扩产或新增的8吋FAB产线规划产能已超过243万片,不包含英飞凌、博世、安森美等头部厂商的具体产能,下游大扩产有望对上游衬底和设备形成强劲拉动,供需缺口超七倍。

4)CoWoS中介层替换SiC,先进封装打开700亿元全新增量

此外,先进封装领域也将给SiC带来新增量。如台积电已向部分企业提出较为明确的12英寸中介层SiC衬底需求,今年将开启交付,明年需求预期量翻倍增长。

背后逻辑是:AI芯片功率密度持续提升,传统硅或玻璃中介层面临散热极限(IBM测试显示,玻璃中介层芯片温度比硅中介层高约14℃),而SiC热导率高达490W/m·K,是硅(130W/m·K)的近4倍,天然成为高散热场景下的最优解。天岳先进晶升股份晶盛机电三安光电均已向相关客户送样或配合推进验证,产业链积极程度超出市场预期。

当前12英寸SiC衬底价格甚至达到2万美元/片,随量产推进良率提升后,预计远期价格降至3000美元。按24-27年73%的复合增速推算,2030年台积电CoWoS产能有望达492万片,若按75%替换率使用SiC中介层,需超369万片12英寸SiC衬底,对应市场规模超700亿元。

与此同时,AR眼镜方面,2030年全球AI/AR眼镜出货量预计将超6000万副,以8吋片切4副眼镜、4000元/片推算,远期AR眼镜对SiC衬底的需求有望达到600亿元。

5)核心公司

天岳先进:导电型SiC衬底全球市占27.6%,8英寸市占51.3%;与英飞凌、博世签订长期供应协议,先进封装、AR眼镜领域均在配合头部客户推进应用验证。

晶升股份:国内SiC长晶炉核心供应商,已向中国台湾地区批量交付设备,12英寸长晶设备样机已陆续向主要客户交付,同步评估先进封装需求。

晶盛机电:6-8英寸SiC衬底已规模化量产,12英寸SiC衬底中试产线建成,向产业链客户送样验证。

三安光电:国内少数SiC全链垂直整合平台,6吋产能16000片/月、8吋1000片/月,AI数据中心散热领域已向头部客户送样验证。

研报来源:华西证券,卜灿华,S1120524120006,AI新主线:碳化硅SiC。2026年5月20日

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