三星推出HPB散热方案将配套HBM5量产，TIM全系列产品迎来批量供货拐点，这两家公司已分别进入华为、长江长鑫供应链

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东北证券指出，芯片散热正从封装外部走向芯片内部，三星HPB方案用铜块嵌入替代传统树脂基材，拉开存储与手机芯片内嵌散热大规模量产序幕。铜的导热性能较树脂基材高出500至1000倍，三星拟对苹果、高通开放HPB专利，内嵌散热将从三星自用走向全行业普及。核心公司：鸿日达、德邦科技。

1）HBM走向12层堆叠，铜块嵌入封装取代传统树脂散热

HBM存储芯片持续向多层高密度堆叠迭代，HBM4E已迈入12层堆叠，芯片功耗持续走高，传统风冷、冷板散热模式难以疏导堆叠结构内部的积热。与此同时，传统半导体封装以环氧树脂基材作为绝缘与结构支撑，但在多层堆叠、功耗抬升的趋势下，树脂耐热性差、受热易形变的弊端持续暴露，无法满足高热密度芯片的导热需求。

三星HPB方案将铜质金属嵌入芯片封装内部，在芯片互联区域内搭建独立导热通路。铜的导热性能相较传统树脂基材高出500至1000倍，从芯片源头直接疏导热量。HPB已在三星HBM4E产品和旗舰处理器上完成实测验证，后续将正式配套HBM5量产，商业化条件已经成熟。

头部存储厂商逐步将内嵌金属散热纳入新品配置标准，内嵌散热片从验证走向大规模量产，存储芯片封测环节散热零部件采购量将稳步提升。

2）手机芯片从外置散热走向内嵌散热，散热片渗透从0到1

在HPB方案落地之前，全行业智能手机散热主要依赖机身VC均热板、石墨等外置方式。随着移动SoC进入2nm制程和端侧AI大模型运算时代，旗舰手机CPU和NPU高频协同运行成为常态，机身被动散热在长时间高负载场景下散热余量严重不足。

三星HPB优化了封装器件排布，将DRAM挪至芯片侧边，在SoC裸晶上方加装导热块，打通了裸晶到整机散热模组的直连通道。搭载HPB的Exynos2600散热性能提升30%，有效改善了高负载下的散热难题。

三星计划向苹果、高通开放HPB专利，手机端内嵌散热片将从三星专属方案变成全行业通用方案，实现从0到1的产业化落地，消费电子散热零部件打开全新增量空间。

3）3D TIM协同散热同步爆发，国产热界面材料迎进口替代窗口

HPB不是孤立方案，它绑定定制化3D TIM热界面材料协同工作。三星Galaxy S26已扩大搭载PCM与SEBS复合3DTIM，嵌入HPB内部，相较传统2D硅基TIM，有效散热接触面积提升118%，大幅改善芯片及周边电源、UFS器件的散热效果。

新一代旗舰SoC同步需要配套高性能TIM等封装导热材料。

此前高端芯片级TIM长期被海外厂商垄断，国产替代空间广阔。

HPB在存储、手机的规模化落地，为国内厂商提供了切入窗口。头部封测、存储客户正在加速导入国产导热材料，TIM全系列产品迎来批量供货拐点，国产替代空间加速兑现。

4）相关公司

鸿日达：聚焦半导体封装级金属散热片业务，已与多家国内外芯片设计公司、封测厂建立对接，取得若干行业重要客户供应商代码，2025年金属散热片业务开始小批量出货。

德邦科技：国内稀缺全布局芯片级导热材料标的，产品覆盖TIM1/TIM1.5/TIM2、导热DAF胶、固晶胶等。核心TIM1已通过国内头部封测全套可靠性验证，存储端已进入长江存储、长鑫供应链，DAF固晶膜完成验证进入供应商名录。

研报来源：东北证券，李玖，S0550522030001，摩尔尽，散热兴：三星HBM发布全新HPB封装方案，存储芯片端热管理将迎爆发式增长。2026年6月3日