性能和适配性显著超越MLCC，硅电容渗透率有望迅速提升，头部厂商已经开启3倍扩产

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国信证券指出，传统MLCC与PCB级供电体系已难以满足AI芯片超高频、低电压、大电流场景的稳定供电需求，硅电容凭借高密度、低ESL等特性正加速替代MLCC，三星电机67.65亿元长协和村田三倍扩产计划是最强产业验证信号。核心公司：火炬电子。

1）硅电容替代MLCC，AI芯片供电体系正发生质变

硅电容基于半导体工艺在硅晶圆上制造，1mm厚度可等效80层陶瓷电容面积（约3-4mm）。相比MLCC有四大优势：125-150°C基本无温漂，老化速率仅为MLCC的1/10，尺寸最低可至50微米，能直接嵌入先进封装内部。

传统MLCC由于厚度限制只能放在PCB背面或封装基板外围，而硅电容可做到几十微米超薄厚度，嵌入封装基板内部甚至芯片与中介层之间，实现更短的供电回路和更低的电压跌落，从而满足AI芯片不断提升的瞬态供电需求。

2）三星67亿长协+村田三倍扩产，产业趋势已确立

三星电机于5月20日与全球大型企业签订硅电容长期供应协议，总金额1.557万亿韩元（约67.65亿元人民币），合同期覆盖2027年1月1日至2028年12月31日。三星电机计划以此为起点，将供应对象从AI服务器进一步拓展至自动驾驶、移动端等高性能计算领域。

村田制作所计划到2028年投资100亿日元（约5亿人民币）将硅电容产能提高三倍，其UESL硅电容已成功导入旗舰级移动APU并列入HPC参考PDN设计。

头部玩家密集扩产印证硅电容正从技术可行走向大规模量产的产业拐点，TAM市场空间可达百亿级。

3）硅电容需与Fab厂深度整合，国产替代路径独特

与MLCC标准化的“买卖采购”模式不同，硅电容本质是半导体前道工艺制造的微型电容，需和Fab厂深度整合。国内下游需求方天然倾向于“本土硅电容设计+本土Fab厂制造封装”的联合方案。

LP Information数据显示，2025年中国硅电容市场前三名村田（42.1%）、罗姆半导体（19.7%）、京瓷（7.0%）合计占68.8%，国产厂商份额尚小但正在加速追赶。

4）相关公司

火炬电子：通过控股子公司天极科技切入硅电容，国内较早布局硅基集成无源器件。

研报来源：国信证券，熊莉，S0980519030002，硅电容专题报告：MLCC进阶方案，渗透率有望迅速提升。2026年06月15日