美光财报炸裂！存储供需紧张至少持续至2028年，国内原厂+模组厂进入正循环飞轮

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美光最新财报营收同比增346%、净利增近14倍，核心数据中心营收超预期69%，CEO明确判断HBM供需紧张将持续至2027年之后，供应紧张2028年才逐步改善。

国信证券指出，AI推理需求正重塑存储产业范式，存储已从算力的配套资源升级为决定AI系统性能上限的核心基础设施，海外原厂退出利基市场正为国产存储打开产业升级窗口。核心公司：德明利、江波龙、佰维存储。

1）供需紧张至少持续至2028年，存储价格有望维持高位

美光CEO在财报电话会上给出了超预期的判断：存储供应紧张2028年才逐步改善，“目前还看不到供应何时能追上需求”。

国信证券指出，当前存储行业供需缺口已在拉大。DRAM和NAND的供给充足率自2025年下半年起进入负值区间，DRAM因HBM对晶圆的高消耗（相同位元产出消耗晶圆数是普通DRAM的2至3倍），供需缺口持续扩大。

在此背景下，1Q26 DRAM价格环比增长87%，NAND价格环比增长98%。在AI深化与原厂谨慎扩产双驱动下，2Q26后价格增速虽放缓但整体价格水平有望维持高位。

2）海外原厂集体退出利基市场，2D NAND与DDR4迎国产机遇

海外存储巨头正将全部资本开支和晶圆产能向HBM、DDR5和AI企业级SSD等高附加值领域倾斜，战略性退出传统存量市场。

三星2026年3月关停华城Line 12厂（2D NAND生产基地）改造为DRAM后端工厂；

铠侠发布停产通知，覆盖32/24/15nm全制程SLC/MLC/TLC，2029年将全面退出2D NAND；

美光2026年起削减2D SLC NAND产能；海力士、三星与美光同步逐步退出DDR4。

2D NAND出货量将随原厂退出加速下降，但工控、车载及网通等长周期刚性需求仍持续存在，SLC NAND部分供应已现紧张。海外巨头留下的市场缺口，恰好成为国产存储产业链加速导入的最佳窗口期。

3）国产原厂市占率加速提升，模组厂进入正向循环

国产存储厂商正从“追赶者”变为“受益者”。

1Q26长江存储在NAND全球市占率升至6.8%（4Q25为5.1%），位列全球第6；长鑫存储在DRAM全球市占率升至7.5%（4Q25为6.4%），位列全球第4。在周期上行与产能释放共振下，长鑫存储1Q26归母净利润达247.62亿元。

模组厂商同样迎来规模跃升。2023年至2025年国内存储模组厂商营收实现跨越式增长，江波龙2024年后营收已超传统龙头台湾群联电子，佰维存储与德明利借上行周期及产品结构升级实现营收倍增。

国产模组厂商正进入规模增长、客户加速导入、产品结构升级的正向循环。

在手机端，江波龙通过开发5nm制程主控芯片、佰维通过晶圆级封装切入中高端市场；在企业级市场，德明利、江波龙产品加速放量。独立第三方主控芯片厂商亦随国产下游起量同步扩张，联芸科技占独立主控市场的25%，位居全球第二。

4）相关公司

存储模组厂商：德明利（企业级SSD加速放量）、江波龙（5nm自研主控，手机与企业级双线突破）、佰维存储（晶圆级封装导入中高端手机）

利基存储厂商：兆易创新、普冉股份（填补2D NAND与利基DRAM需求红利）

研报来源：国信证券，叶子，S0980522100003，AI推理需求重塑存储范式，国产存储迎产业升级期。2026年06月24日