存储扩产持续性强！被忽视的卖铲子环节，存储测试机需求约为传统DRAM的5–6倍

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东吴证券指出，在存储芯片价格半年涨超17倍的背后，被市场忽视的卖铲子环节——存储测试机正迎来需求的非线性爆发。HBM的堆叠架构让单颗芯片需要的测试设备量直接翻了5-6倍，而这个市场目前85%被爱德万和泰瑞达垄断，国产化率仅8-10%。长川科技、精智达、联讯仪器等国产设备商正伴随长鑫存储的扩产浪潮加速追赶。

1）存储芯片持续涨价+国内外产能追赶，存储未来扩产持续性强

在AI算力需求拉动下，DRAM与NANDFlash现货价格均进入快速上行通道，DDR4（8Gb）2024年底到2026年6月涨幅超17倍，DDR5（16Gb）2025年11月至2026年6月底涨幅约4.9倍。

长鑫存储2025年营收618亿元，2026Q1营收同比+719%，产能利用率长期维持90%以上，资本开支持续高位。中国头部存储厂商与国际龙头产能差距显著，后续扩产空间广阔。

2）HBM成为AI芯片主流方案，测试环节量价齐升

高带宽存储器（HBM）是一种采用三维堆叠和硅通孔（TSV）等技术的高性能DRAM，其核心优势在于采用微凸块技术缩短了DRAM和逻辑芯片之间的信号传输距离，同时通过增加存储多层堆栈的数量和位宽实现了更大的存储容量和更多的I/O引脚数量、降低了I/O工作电压并减少了信号线的数量和长度，因此具备高带宽、低延迟和低功耗等优势，是应对内存墙问题的核心技术。

目前主流AI训练芯片多采用HBM。以英伟达H100为例，1颗H100由1颗GPU+6颗HBM通过CoWoS技术封装集成，其中5颗是activeHBM2E，每颗HBM2E由8层2GBDRAMDie堆叠组成。HBM也是AI芯片中占比最高的部分。英伟达H100成本接近3000美元，其中占比最高的即SK海力士的HBM，约2000美元。

随着AI芯片需求持续放量，SoC测试机、存储测试机市场持续放量。据SEMI的数据，2025年全球半导体测试机市场中，SoC测试机的市占率约为63%，相较于2018年的23%显著提升了40pct；存储测试机的市占率约为16%，模拟混合测试机约为14%，而射频模拟测试机的占比最小，约为1%。

HBM采用3D堆叠架构，测试重心前移至KGSD测试环节，测试道数由传统DRAM的3–4道提升至15道以上，存储测试机需求约为传统DRAM的5–6倍。HBM对测试设备在供电能力、时序精度、高并行测试能力及测试算法等方面均提出更高要求。

市场竞争格局方面，存储测试机市场2025年由爱德万（占据市场份额61%）和泰瑞达（占据市场份额24%）主导，国内国产化率仅8-10%，显著低于其他测试设备细分赛道，是半导体设备自主可控的重要短板。国内厂商正加速布局，关注国内存储测试机领先布局厂商长川科技、精智达、联讯仪器等。

研报来源：东吴证券，周尔双，S0600515110002，存储测试机行业专题：AI算力催生HBM带动测试机新需求，国产设备商加速突破。2026年7月2日