从传统工业金属向半导体材料的价值重估，三星和海力士同时盯上，

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江海证券指出，“以钼代钨”工艺在高端存储芯片中的加速渗透，正推动钼从传统工业金属向高附加值的半导体材料进行价值重估。3D NAND闪存堆叠层数突破300层后，钨材料已触及物理极限，钼凭借低电阻率、无氟残留等优势成为替代方案。

预计2027年NAND行业钼替换率有望攀升至55%至75%，HBM4的钼渗透率已接近100%，且单颗HBM的钼靶用量高达普通DRAM的3至5倍。

核心公司包括金钼股份、洛阳钼业等。

1）3D NAND堆叠突破400层，钨触及物理极限，钼逆袭成存储芯片“新铲子”

3D NAND闪存的制造原理，是把存储单元像盖楼一样垂直堆叠。每往上盖一层，连接各层的“字线”金属材料就承担更大的电阻压力。目前，SK海力士的第10代产品堆叠已达375层，三星第10代更规划至400层以上——这是钨材料的物理极限。

钨在纳米尺度下有三个致命缺陷：电阻随层数激增、沉积时需要较厚的阻挡层浪费垂直空间、工艺残留的氟原子会腐蚀周边材料。

而钼的电阻率更低，沉积时无需阻挡层，也没有氟残留问题。换句话说，3D NAND层数越高，钼替代钨的性价比就越突出，这是工艺底层逻辑决定的不可逆趋势。

全球存储巨头已纷纷启动“以钼代钨”计划。

三星电子拔得头筹，2024年在286层产品中率先引入钼工艺，其第十代400层以上产品定于2026年下半年上市，钼采购量计划从2025年的4吨飙升至2030年的80吨。

SK海力士紧随其后，375层第10代3D NAND已完成生产验证，计划年底在清州M15工厂量产，2027年起大规模导入，初期年需求约4吨。

美光则采取NAND与DRAM双线布局，积极探索复合金属路线。铠侠与西部数据目前仍处于观望和技术验证阶段。

钼在半导体领域的需求将迎来“三级火箭”阶梯式爆发。

第一级由当前确定性最高的NAND闪存驱动。300层以上超高堆叠催生了ALD钼前驱体和靶材的全新增量，预计2027年NAND行业钼替换率有望攀升至55%至75%。

第二级是中期爆发的DRAM与HBM市场。随着HBM4堆叠层数增至12至16层，钨材料的缺陷被极致放大，HBM4的钼渗透率已接近100%，且单颗HBM的钼靶用量高达普通DRAM的3至5倍。

第三级是远期天花板最高的逻辑芯片市场，在10nm以下先进制程中，传统铜互连面临电阻飙升的物理极限，钼有望作为替代方案在未来2至3年内逐步导入，从而打开最大的市场想象空间。

从产业链结构看，钼行业上游采选到中游冶炼再到下游深加工，高品位钼精矿因为资源稀缺、行政许可壁垒高，是整条产业链最有投资价值的环节。