热点 · 2026-07-28 12:45:33
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国金证券研报指出，mSAP（改良半加法）工艺使PCB线宽线距降至15um以下，正在从智能手机场景向AI算力场景迁移。光模块向800G-1.6T-3.2T迭代叠加英伟达CoWoP技术路线取消传统封装基板，倒逼PCB主板类载板化，mSAP-PCB上游六大材料与设备环节面临非线性需求放量。核心关注芯碁微装、东威科技、铜冠铜箔、宏和科技、国际复材。
PCB线宽线距的极限正在被AI需求推向下一个量级。传统PCB和HDI板的线宽线距在30um以上，IC载板通常小至15um。SLP类载板恰好填补了这一中间地带，其制造工艺采用mSAP，从1.5-5.0um的薄层压铜箔起步，以薄铜为种子层进行图形电镀与闪蚀。
相较传统减成法，mSAP采用正片曝光使精度更高，图形电镀只镀所需区域使铜厚更低，快速蚀刻咬蚀超薄铜箔。线宽线距可达15um以下，垂直显影工艺确保线路均匀无划痕，这是传统工艺无法做到的。
mSAP最初的应用场景在消费电子。2017年iPhone要求PCB密度接近封装载板，催生了SLP需求和mSAP工艺的第一次规模化，2018年初三星Galaxy也跟进采用SLP设计。但真正改变mSAP需求规模的，是AI。
光模块从800G向1.6T、3.2T迭代的过程中，线路密度持续提升，需要使用类载板承接并以mSAP工艺制备。更关键的是英伟达提出的CoWoP技术路线，传统封装基板被取消，芯片通过硅中介层直接与高精度PCB主板连接，倒逼主板线路细化至类载板级别。这意味着mSAP-PCB从消费电子的“可选工艺”变成了AI算力的“刚需”。
①mSAP要求曝光线宽线距降至15um，直写光刻设备需求随之增长。国内厂家芯碁微装设备性能已比肩海外厂商，且交付周期显著更短，有望充分受益本轮国产替代。
②电镀环节同样面临精度升级，mSAP要求铜厚均匀性控制在±5%以内，较传统工艺±10%的标准大幅收紧。东威科技VCP设备国内市占率超50%，海外拓展将分阶段推进。
③载体铜箔是供需矛盾最突出的环节。日本三井金属占据全球超90%市场份额，当前月产能约500万平，预计2028年仅提升至580万平，扩产幅度仅16%。下游需求除光模块和CoWoP外，高端存储芯片扩产进一步放大供需缺口。上游供给偏紧，有望推动下游客户加快对国产产品的验证导入，国内布局者包括方邦股份、铜冠铜箔、德福科技。
④药水环节，闪蚀是mSAP的控制难点，药水对基铜和电镀铜的蚀刻速率差异导致侧蚀问题，国内参与者包括光华科技、天承科技。
⑤Low-CTE电子布：mSAP层预计使用T布，T布2026年继续呈现涨价趋势，日东纺新产能预计26H2才能释放，短期供应紧张难以缓解。
⑥Low-DK二代布、HVLP4铜箔：1.6T光模块mSAP-PCB中的HDI预计使用M8+二代布+HVLP4铜箔的搭配。
HVLP4铜箔，全球龙头三井金属扩产、印证产业趋势。预计ASIC平台（亚马逊、谷歌等）及NV在2026年高阶方均会大量采用HVLP4铜箔方案，因此看好2026年全系列PCB铜箔的涨价趋势。国内HVLP4有明确产能的企业主要为铜冠铜箔。
Low-dk二代布，2026年存在明确供需缺口，随着26Q3谷歌V8及以上TPU、NV-Rubin架构全面放量，预计将大幅拉动Low-Dk二代布需求。国内二代布有布局的企业包括国际复材、中材科技、宏和科技、中国巨石、光远新材等。
相关公司：
直写光刻：芯碁微装
电镀线：东威科技
载体铜箔：铜冠铜箔、方邦股份、德福科技
药水：光华科技、天承科技
Low-CTE电子布：宏和科技、中材科技、国际复材、中国巨石
Low-dk二代布、HVLP4铜箔：铜冠铜箔、国际复材、宏和科技、中材科技、中国巨石
研报来源：国金证券，李阳，S1130524120003，高端扩容，mSAP-PCB的增量贡献。2026年07月26日