从冷却液到刻蚀气，半导体含氟材料关乎晶圆厂的生产命门，这些品

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摘要：

1、含氟材料：先进制程扩产与海外供给收缩同时发生，半导体含氟材料正迎来量价与格局的双重变化。≤7nm的先进制程扩产速度约为行业整体2倍，单片化学品用量成倍提升；3M退出PFAS制造释放约4000吨冷却液缺口，新宙邦率先承接；六氟化钨受钨价上涨与日本停产扰动，缺口约900至1300吨，中船特气直接受益；六氟丁二烯全球仅三家量产5N级，价格涨至280万元以上，昊华科技产能全球第一；电子级HF高等级供给与PFA、FFKM认证是国产化最后的关卡，多氟多、巨化股份加速导入。

2、空白掩膜版：掩膜版是承载芯片电路图形、通过曝光转移至硅片的“蓝本”，规模占晶圆制造材料约12%、仅次于硅片与电子特气。空白掩膜版则是掩膜版上游的卡脖子环节之一，但国内国产化率仅约10%、高端约3%，ArF基板几乎为零、EUV基板处于禁运状态。制程缩进、多重曝光与先进封装三重叠加，再迎晶圆厂扩产与国产算力芯片密集迭代的需求共振，掩膜版量价齐升。供给端日系占约83%份额，出口管制后光刻材料涨价成为替代加速的现实催化，2026年是验证导入与产能落地的关键窗口。关注：聚和材料、清溢光电、路维光电、龙图光罩、冠石科技。

3、网络分析仪：华泰证券研报指出，AI算力建设推动数据中心高速互连向800G、1.6T加速升级，高速连接器、线缆及高端PCB对信号完整性与良率管控的要求持续提高，带动矢量网络分析仪（VNA）测试需求增长，测试向更高频率、更多端口及自动化方向升级，有望量价齐升。国内厂商凭射频微波技术积累加速追赶，电科思仪新一代产品技术指标可对标海外龙头是德科技。国内产业链相关公司包括鼎阳科技、电科思仪、普源精电。

4、光芯片：全球光芯片市场规模2025年达328亿元，预计2030年增至2336亿元。海外龙头产能利用率超90%，扩产周期长达1至1.5年，供需失衡或推升芯片价格，CW+硅光路线切换带来价值重估，国内厂商有望深度受益行业景气。核心关注：源杰科技、长光华芯、仕佳光子、光迅科技。

正文：

1、从冷却液到刻蚀气，半导体含氟材料关乎晶圆厂的生产命门，这些品类增量最大国产化速度更快

3M已于2025年底正式退出PFAS制造，此前按产量计占全球半导体控温液约80%份额，约4000吨冷却液缺口正由国产厂商承接。这只是含氟材料景气的切面之一：≤7nm先进制程扩产速度约为行业整体的2倍，单片晶圆化学品消耗成倍提升；六氟化钨供需缺口达千吨量级，六氟丁二烯价格已涨至280万元以上。高端含氟材料的国产替代正走向认证壁垒最高的尖端品类。关注新宙邦、中船特气、昊华科技、巨化股份、多氟多等。

1）≤7nm产能扩张提速，单片晶圆化学品用量成倍增加

芯片越先进，化学品耗得越凶。光刻、刻蚀、清洗、抛光在一片晶圆上反复循环，制程每缩小一代，工艺步骤就再加一轮。

SEMI预计≤7nm产能仍将以较高的复合增速扩张，先进制程的扩产速度已达到行业整体的2倍，成为晶圆制造新增需求的主要来源。

用量提升之外，品类结构也在升级。

先进器件对光刻胶分辨率、缺陷控制和配方稳定性的要求更高，先进光刻胶的收入占比正快速抬升，单片价值量弹性最高可达约5倍，电子特气和CMP材料次之，湿电子化学品提升幅度相对温和。

国产替代方面，2025年，湿化学品整体国产化率预计已达50%-60%，而KrF/ArF光刻胶国产化率预计不足3%/1%，电子特气国产化率预计约25%，高端光刻胶与电子特气仍是国产替代空间更大的方向。

下面分几个重点品类来看。

2）3M退出让出80%份额，4000吨氟化液缺口由国产承接

PFPE冷却液负责刻蚀、沉积等设备腔体和晶圆承载台的恒温，是设备稳定运行的关键介质，长期由3M主导，其已于2025年底正式退出PFAS制造，按产量计此前占全球半导体控温液约80%份额。

承接方已经就位，新宙邦半导体冷却液2026年出货预计较上年翻倍，客户以国内半导体设备厂为主，海外三星、SK已完成认证。HFE清洗液同样受益于海外同类产品退出，是该公司氟化工板块出货量最大的品种。

3）海外停产叠加钨价上涨，六氟化钨缺口超一成

六氟化钨是钨沉积的核心前驱体，用于填充接触孔、钨栓塞和金属栅，先进逻辑、DRAM/HBM和3D NAND的结构越复杂，单片用量越大。

未来五年全球需求接近翻倍，供给端却在这个节点收紧。日本关东电化2026年年中基本停产、仅保留两成稼动率，中央硝子也已全面停产，两家合计约占全球有效供给的两成。

更硬的约束在原料。中国钨矿产量占全球近八成，高纯钨粉是六氟化钨最大的成本项，海外厂商在原料采购和出口许可上面临不确定性，全球供给已从产能约束转为原料与产能的双重约束。测算2026年供给缺口约900至1300吨；即便中船特气新产能投产，缺口仍在数百吨以上。

价格端，钨精矿均价三年累计上涨超过430%，六氟化钨成本被整体抬升。

需求增长与海外收缩同时发生，已通过客户认证的存量产能同时吃到利用率提升和涨价两重收益。中船特气2026年上半年六氟化钨收入同比增长近三倍，并将议价周期由年度缩短至季度。

4）全球仅三家量产5N级，六氟丁二烯价格涨至280万元以上

六氟丁二烯用于先进逻辑、DRAM/HBM和3D NAND的高深宽比介质刻蚀，靠刻蚀与钝化的协同机制控制孔形和侧壁，在高深宽比介质刻蚀中暂无经济性替代方案。需求随先进制程与存储扩产快速抬升，测算未来五年全球需求增长一倍以上。

供给比需求更棘手。全球能稳定量产5N级六氟丁二烯的只有三家，昊华科技千吨级产能居全球第一且已满产满销，日本关东电化关停老旧装置后供给收缩，德国林德的产能定向配套欧美晶圆厂、不进入亚洲流通。

2026年有效供给对应需求仍有百吨级缺口，4月价格已涨至约280-360万元/吨，散单更高。晶圆厂认证通常需要一年以上，通过认证的供应商与客户深度绑定，新产能短期内难以填补缺口。

5）电子级HF与PFA、FFKM，国产替代的最后一关

国产化的卡点集中在高等级产品。

日本仍是高等级半导体级HF（氢氟酸）的主要供应来源，供应扰动可能形成十万吨级替代缺口；国内多氟多、中巨芯分别具备数万吨级产能，后者已稳定供应韩国及无锡海力士，竞争焦点正转向最高等级产品的稳定出货能力。

含氟聚合物的差距更大。PFA是湿法工艺管路、阀门和槽体的核心材料，国内进口依存度超过六成，国产高纯PFA售价只有进口产品的一半左右。FFKM密封圈国产化率仍低，国内合格产能仅约十吨。

行业焦点正从能否做出来转向能否稳定大批量做好，巨化股份的万吨级超纯PFA已投产、FFKM份额居国内第一。

6）核心公司

新宙邦：3M退出后PFPE冷却液与HFE清洗液的核心承接方，半导体冷却液2026年出货预计约1000吨，2025年该业务净利率接近50%。

多氟多：具备4万吨半导体级HF产能，产品进入台积电供应链，2026年目标电子化学品板块盈亏平衡。

巨化股份：万吨级超纯PFA建成投产，成本较海外龙头低15%-20%，FFKM以32%份额居国内第一。

中巨芯：3万吨高等级HF产能稳定供应韩国及无锡海力士，六氟化钨产能600吨。

雅克科技：国内唯一实现半导体前驱体规模化国产替代的企业，台积电指定供应商，内蒙古1.5万吨电子特气产能预计26Q3投产。

昊华科技：C4F6产能1000吨全球第一，通过台积电、三星、中芯国际全产线认证，2026年满产满销。

中船特气：六氟化钨产能2000吨全球领先，2026H1该业务收入同比增长近3倍，1000吨新产能预计2027年投产。

安集科技：国内CMP抛光液龙头，2025年全球市场份额约13%。

2、空白掩膜版：高端产品国产化率仅3%，ArF基板几乎为零，继光刻胶后最急迫的国产化拼图出现了

财通证券看好掩膜版的技术通胀与国产替代。掩膜版是光刻工艺的图形母版，规模占晶圆制造材料约12%、仅次于硅片与电子特气。空白掩膜版则是掩
膜版上游的卡脖子环节之一，但国内国产化率仅约10%、高端约3%，ArF基板几乎为零、EUV基板禁运。制程缩进、多重曝光与先进封装三重叠加带动量价齐升，日系垄断约83%份额叠加出口管制涨价，2026年成为验证导入与产能落地的关键窗口。关注聚和材料、清溢光电、路维光电、龙图光罩、冠石科技。

1）光刻的图形母版，卡在国产化率最低的一环

掩膜版是承载芯片电路图形并通过曝光将其批量转移至硅片的“蓝本”，品质直接决定下游良率。它占晶圆制造材料约12%，仅次于硅片与电子特气，据SEMI测算，2025年国内市场空间达百亿元量级。

芯片工艺越升级，掩膜版对最小线宽、CD精度的要求越苛刻，位于其上游的空白掩膜版是技术壁垒最高的环节，直接决定光刻图形的转移精度。

国产化的现实更紧迫：国内半导体掩膜版整体国产化率约10%，高端仅约3%；空白掩膜版环节更为严峻，ArF基板国产化率几乎为零，EUV基板处于禁运状态。掩膜版与空白掩膜版由此成为继光刻胶之后，国产光刻材料链条上最具紧迫性的拼图之一。

2）三重叠加，掩膜版量价齐升

掩膜版的需求同时带设备属性和耗材属性：新增产线、新品流片与半导体技术迭代带来增量光罩需求，曝光次数累积决定更换频率。2026-2027年国内晶圆厂扩产与国产算力芯片密集迭代形成需求共振。

量的方面，制程节点缩进带动掩膜版层数增加，130nm节点约需30层，14nm/10nm节点进一步达到60层。

价的方面，多重曝光把单层掩膜数量由1张提升至2-4张甚至更多，制造复杂度与单价同步抬升；CoWoS/CoWoP等先进封装又对掩膜版提出更小线宽、更大面积、更高套刻精度的要求。

供给端长期被美日韩企业垄断，空白掩膜版全球供给由日本Hoya、信越、AGC占据约83%份额，EUV掩膜基板更是由日系掌控九成以上供给。

需求端量价齐升与供给端日系主导、出口管制收紧形成共振，掩膜版作为晶圆制造第三大材料的战略地位持续凸显，国产替代正迎来加速窗口。

3）2026年，验证导入与产能落地的关键窗口

对日替代已成为产业链的共同主线，国内厂商的突破口有两条。

一是通过海外收购直接切入空白掩膜版环节，聚和材料2026年3月底完成对SKEnpulse株式会社空白掩膜版业务的收购交割，产品为适配DUV-ArF及KrF光刻工艺的掩膜基板，主要应用于PSM相移掩模版，已通过SK海力士、TMC等客户认证并批量供货。

二是掩膜版制造环节的第三方厂商多点追赶：清溢光电180nm已量产、150nm小批量量产，并向28nm工艺开发推进；路维光电一期90nm成套及40nm/28nm单片掩膜版已验证供货，二期布局先进制程；龙图光罩90nm已完成从研发到量产的跨越，国产进程如火如荼。

关注空白掩膜版稀缺标的聚和材料，以及半导体掩膜版企业清溢光电、路维光电、龙图光罩、冠石科技等。

3、AI算力的质检员要升级了！800G、1.6T一上，连接器和PCB信号容易变形，VNA测试需求跟着爆

华泰证券研报指出，AI算力建设推动数据中心高速互连向800G、1.6T加速升级，高速连接器、线缆及高端PCB对信号完整性与良率管控的要求持续提高，带动矢量网络分析仪（VNA）测试需求增长，测试向更高频率、更多端口及自动化方向升级，有望量价齐升。国内厂商凭射频微波技术积累加速追赶，电科思仪新一代产品技术指标可对标海外龙头是德科技。国内产业链相关公司包括鼎阳科技、电科思仪、普源精电。

1）VNA是什么，为什么AI算力离不开它？

矢量网络分析仪是测量射频与微波器件电气网络参数的核心仪器，通过比较入射波、反射波与传输波的幅度及相位，判断被测器件的反射与传输特性，主要测驻波比、S参数、阻抗、回波损耗、插入损耗及群时延等指标，广泛应用于滤波器、天线、功率放大器等有源及无源器件测试。简单说，信号在器件里跑一趟有没有失真、损耗多大，都要靠它来量化——AI算力发展推动数据传输向更高速率升级，信号完整性要求随之提高，高速PCB和连接器的测试需求持续提升。

2）两处升级直接加码测试需求

一是连接器与高速线缆。作为AI数据中心高速互连的重要组成部分，网络向800G、1.6T升级，单通道SerDes速率向112Gbps、224Gbps演进，对传输损耗、阻抗匹配及串扰控制的要求进一步提高。据是德科技微信公众号，224Gbps速率对应56GHz的生产测试和84GHz的研发测试需求——测试频率要求比上一代速率直接上了一个台阶，VNA随之向更高频率、更多端口及自动化方向升级。

二是PCB。AI算力服务器中的PCB要求"高频高速"，当层数增至20-30层以上时，高密度布线带来的介质损耗和导体损耗越严重，需要更高精度、更高性能的VNA测量；单板价值量上升，下游对良率与品质管控的要求持续提高。

3）全球市场稳步扩容，国产三杰产品对标海外龙头

根据Future Market Insights预测，全球VNA市场2025年约9.01亿美元，2035年预计达12.75亿美元，期间复合增长率3.5%。

此前高端市场由是德科技、罗德与施瓦茨等海外龙头凭借硬件技术和客户绑定占据较大份额，但国内企业持续技术突破、份额有望提升：

鼎阳科技产品矩阵丰富，频率范围覆盖9kHz-50GHz、动态范围135dB，即将推出搭载最新自研专用芯片的更高频率VNA；

电科思仪新一代3674产品频率范围500Hz-120GHz、动态范围105dB@110GHz，技术指标可对标是德科技，并在公告中披露着手开发面向高速PCB板的自动测试系统；

普源精电2025年推出VNA相关产品，频率范围5kHz-26.4GHz、动态范围127dB。

4）相关标的

相关公司：鼎阳科技、电科思仪、普源精电。

4、成本占比奔向70%，光模块利润正向光芯片集中，供需失衡或成两年常态，国产化导入窗口打开

华福证券指出，光芯片已成光通信产业链的产能瓶颈与价值核心。全球光芯片市场规模2030年有望达到2336亿元，而海外龙头产能几无弹性，2026年至2027年供需失衡或成行业常态，价格上行压力显著，国内厂商的国产化导入窗口期正在开启。关注源杰科技、长光华芯、仕佳光子、光迅科技。

1）海外产能几无弹性，供需失衡或成两年常态

光芯片制造依赖精密外延生长工艺，从扩产决策到产能释放需要1至1.5年，扩产周期漫长。高意、朗美通、住友电工等海外厂商长期主导市场，而当前海外龙头产能利用率已超过90%，几乎不存在弹性空间，面对AI算力带来的需求跃升，供给端短期难以响应。

这意味着2026年至2027年的供需失衡将成为行业常态，价格上行压力显著。在这一背景下，国内光芯片厂商迎来关键窗口期，从CW光源到100G EML，从国内客户到北美客户，国产化正加速推进。

2）AI改写增长曲线，市场增速中枢跳升，利润池正在迁移

全球光芯片市场规模已从2021年的135亿元增长至2025年的328亿元，复合年增速为24.8%。AI算力需求爆发正在改写这条增长曲线，自2025年起全球光芯片市场复合年增速将跳升至48.1%，中国市场更高达52.2%。

光芯片处于产业链最前端，是光模块实现光电转换的核心载体，也是整条产业链技术壁垒最高的环节。从成本结构看，光芯片占光模块总成本的三至六成，且随着光模块向1.6T甚至3.2T迭代，这一占比有望超过60%甚至超过70%。高端光芯片毛利率显著高于光模块组装，随着CPO等新一代技术量产，光模块组装环节的利润将快速下降，利润进一步向CW光源、高速EML阵列芯片等集中。

3）技术路线切换，CW+硅光或成下一代主流

提升光模块速率的传统路径是堆通道数量，但通道越多，模块尺寸、功耗和封装复杂度同步上升，系统成本不降反升。硅光采用CMOS工艺把调制器、探测器等器件集成到硅基芯片上，可以像造芯片一样大规模制造光学器件，让光模块的成本和功耗大幅下降。硅材料几乎不发光，CW激光器因此成为硅光方案的外置核心光源，与硅基调制芯片分工协作。以800G光模块为例，EML方案需要8颗100G芯片，硅光方案只需2至4颗CW光源。

台积电曾明确表态，硅光子是未来CPO的必然选择，而CW-DFB是适配AI高速光互联及CPO技术的最优方案。从1.6T到3.2T的迭代周期可能缩短至一年半，速率竞赛正在加速技术路线切换，单波400G或引领下一代光通信技术。

从冷却液到刻蚀气，半导体含氟材料关乎晶圆厂的生产命门，这些品类增量大国产化速度更快；AI算力质检升级，VNA测试需求跟随放量——0923脱水研报

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