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财通证券看好掩膜版的技术通胀与国产替代。掩膜版是光刻工艺的图形母版，规模占晶圆制造材料约12%、仅次于硅片与电子特气。空白掩膜版则是掩
膜版上游的卡脖子环节之一，但国内国产化率仅约10%、高端约3%，ArF基板几乎为零、EUV基板禁运。制程缩进、多重曝光与先进封装三重叠加带动量价齐升，日系垄断约83%份额叠加出口管制涨价，2026年成为验证导入与产能落地的关键窗口。关注聚和材料、清溢光电、路维光电、龙图光罩、冠石科技。
掩膜版是承载芯片电路图形并通过曝光将其批量转移至硅片的“蓝本”，品质直接决定下游良率。它占晶圆制造材料约12%，仅次于硅片与电子特气，据SEMI测算，2025年国内市场空间达百亿元量级。
芯片工艺越升级，掩膜版对最小线宽、CD精度的要求越苛刻，位于其上游的空白掩膜版是技术壁垒最高的环节，直接决定光刻图形的转移精度。
国产化的现实更紧迫：国内半导体掩膜版整体国产化率约10%，高端仅约3%；空白掩膜版环节更为严峻，ArF基板国产化率几乎为零，EUV基板处于禁运状态。掩膜版与空白掩膜版由此成为继光刻胶之后，国产光刻材料链条上最具紧迫性的拼图之一。
掩膜版的需求同时带设备属性和耗材属性：新增产线、新品流片与半导体技术迭代带来增量光罩需求，曝光次数累积决定更换频率。2026-2027年国内晶圆厂扩产与国产算力芯片密集迭代形成需求共振。
量的方面，制程节点缩进带动掩膜版层数增加，130nm节点约需30层，14nm/10nm节点进一步达到60层。
价的方面，多重曝光把单层掩膜数量由1张提升至2-4张甚至更多，制造复杂度与单价同步抬升；CoWoS/CoWoP等先进封装又对掩膜版提出更小线宽、更大面积、更高套刻精度的要求。
供给端长期被美日韩企业垄断，空白掩膜版全球供给由日本Hoya、信越、AGC占据约83%份额，EUV掩膜基板更是由日系掌控九成以上供给。
需求端量价齐升与供给端日系主导、出口管制收紧形成共振，掩膜版作为晶圆制造第三大材料的战略地位持续凸显，国产替代正迎来加速窗口。
对日替代已成为产业链的共同主线，国内厂商的突破口有两条。
一是通过海外收购直接切入空白掩膜版环节，聚和材料2026年3月底完成对SKEnpulse株式会社空白掩膜版业务的收购交割，产品为适配DUV-ArF及KrF光刻工艺的掩膜基板，主要应用于PSM相移掩模版，已通过SK海力士、TMC等客户认证并批量供货。
二是掩膜版制造环节的第三方厂商多点追赶：清溢光电180nm已量产、150nm小批量量产，并向28nm工艺开发推进；路维光电一期90nm成套及40nm/28nm单片掩膜版已验证供货，二期布局先进制程；龙图光罩90nm已完成从研发到量产的跨越，国产进程如火如荼。
关注空白掩膜版稀缺标的聚和材料，以及半导体掩膜版企业清溢光电、路维光电、龙图光罩、冠石科技等。
研报来源：财通证券，唐佳，S0160525110002，“看好空白掩膜版与掩膜版的技术通胀和国产替代”。2026年9月22日